物理学报

2013, (15) 371-377

[打印本页] [关闭]
本期目录(Current Issue) | 过刊浏览(Past Issue) | 高级检索(Advanced Search)

Ga高掺杂对ZnO的最小光学带隙和吸收带边影响的第一性原理研究
First-principle study on the effect of high Ga doping on the optical band gap and the band-edge of optical absorption of ZnO

侯清玉;董红英;马文;赵春旺;

摘要(Abstract):

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了纯的和四种不同Ga掺杂量的ZnO超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、能带结构分布、态密度分布和吸收光谱的计算.结果表明,在本文限定的Ga掺杂量2.08 at%—6.25 at%的范围内,随着Ga掺杂量的增加,掺杂后的ZnO体系体积变化不是很大,但是,掺杂体系ZnO的能量增加,掺杂体系变得越来越不稳定,同时,掺杂体系ZnO的Burstein-Moss效应越显著,最小光学带隙变得越宽,吸收带边越向高能方向移动.计算结果和实验结果相一致.

关键词(KeyWords): Ga高掺杂ZnO;电子结构;吸收光谱;第一性原理

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(批准号:51062012,51062013,51261017);; 教育部“春晖计划”项目;; 内蒙古自治区高等学校科学研究项目(批准号:NJZZ130099);; 内蒙古自治区自然科学基金(批准号:2010BS0604)资助的课题~~

作者(Author): 侯清玉;董红英;马文;赵春旺;

Email:

DOI:

参考文献(References):

扩展功能
本文信息
服务与反馈
本文关键词相关文章
本文作者相关文章
中国知网
分享