物理学报

2013, (15) 571-575

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空间用GaInP/GaAs/In_(0.3)Ga_(0.7)As(1 eV)倒装三结太阳电池研制
Investigation of inverted metamorphic GaInP/GaAs/In_(0.3)Ga_(0.7)As(1 eV) triple junction solar cells for space applications

张永;单智发;蔡建九;吴洪清;李俊承;陈凯轩;林志伟;王向武;

摘要(Abstract):

采用阶变缓冲层技术(step-graded)外延生长了具有更优带隙组合的倒装GaInP/GaAs/In0.3Ga0.7As(1.0eV)三结太阳电池材料,TEM和HRXRD测试表明晶格失配度为2%的In0.3Ga0.7As底电池具有较低的穿透位错密度和较高的晶体质量,达到太阳电池的制备要求.通过键合、剥离等工艺制备了太阳电池芯片.面积为10.922cm2的太阳电池芯片在空间光谱条件下转换效率达到32.64%(AM0,25C),比传统晶格匹配的GaInP/GaAs/Ge(0.67eV)三结太阳电池的转换效率提高3个百分点.

关键词(KeyWords): 太阳电池;三结;倒装结构

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA050512)资助的课题~~

作者(Author): 张永;单智发;蔡建九;吴洪清;李俊承;陈凯轩;林志伟;王向武;

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DOI:

参考文献(References):

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