物理学报

2013, (15) 461-466

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钽掺杂二氧化钛薄膜的光电性能研究
Optoelectrical properties of tantalum-doped TiO_2 thin films

薛将;潘风明;裴煜;

摘要(Abstract):

采用脉冲激光沉积法(PLD),以石英玻璃为衬底制备了钽掺杂TiO2薄膜并研究了薄膜样品的光电性质.沉积氧气分气压从0.3Pa变化到0.7Pa时薄膜样品的帯隙变化范围是3.26eV到3.49eV.通过测量电阻率随温度的变化关系确定了薄膜内部的主要导电机理.在150K到210K温度范围内,热激发导电机理是主要的导电机理;而在10K到150K范围内;电导率随温度的变化复合Mott的多级变程跳跃模型(VRH);在210K到300K范围内,电阻率和exp(b/T)1/2呈正比关系.

关键词(KeyWords): Ta掺杂TiO2;脉冲激光沉积法;薄膜;导电机理

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(批准号:51032002);; 国家高技术研究发展计划项目(批准号:2011AA050526)资助的课题~~

作者(Author): 薛将;潘风明;裴煜;

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