物理学报

2013, (15) 378-383

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Zn_(1-x)TM_xO(TM=Al,Ga,In)导电性能的模拟计算
Simulation and calculation of conducting property of Zn_(1-x)TM_xO(TM=Al,Ga,In)

侯清玉;董红英;马文;赵春旺;

摘要(Abstract):

基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,构建了未掺杂与相同掺杂浓度的Zn1xTMxO(TM=Al,Ga,In)超胞模型,分别对模型进行了几何结构优化、态密度分布和能带分布的计算.结果表明,分别高掺杂(Al,Ga,In)相同原子分数3.125at%的条件下,In掺杂对ZnO导电性能最好的结果,计算结果和实验结果相一致.

关键词(KeyWords): (Al,Ga,In)高掺ZnO;导电性能;第一性原理

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(批准号:51062012,51062013,51261017);; 教育部“春晖计划”;; 内蒙古自治区高等学校科学研究项目(批准号:NJZZ13099);; 内蒙古自治区自然科学基金(批准号:2010BS0604)资助的课题~~

作者(Author): 侯清玉;董红英;马文;赵春旺;

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参考文献(References):

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