物理学报

2013, (15) 403-409

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掺杂浓度及掺杂层厚度对Si均匀掺杂的GaAs量子阱中电子态结构的影响
Effect of doping concentration and doping thickness on the structure of electronic state of the Si uniformly doped GaAs quantum well

杨双波;

摘要(Abstract):

本文通过自洽地求解薛定鄂方程及泊松方程计算了在温度T=0,有效质量近似下,Si均匀掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱系统的电子态结构.研究了掺杂浓度及掺杂层厚度对子带能量,本征包络函数,自洽势,电子密度分布,及费米能量的影响.发现在给定掺杂浓度下,子带能量随掺杂层厚度的增加单调递减,自洽势的势阱变宽变浅,电子密度分布变宽,峰值变低;在给定掺杂层厚度下,随掺杂浓度的增加子带能量及费米能级单调递增,自洽势阱变深变陡变窄,电子密度分布的峰值变高,集中在中心.

关键词(KeyWords): 掺杂;量子阱;电子结构;半导体GaAs

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 杨双波;

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