物理学报

2013, (15) 447-453

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氧离子注入微晶金刚石薄膜的微结构与光电性能研究
Microstructural and photoelectrical properties of oxygen-ion-implanted microcrystalline diamond films

王峰浩;胡晓君;

摘要(Abstract):

本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有Si-V发光中心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响.结果表明,氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中Si-V中心的发光强度.当氧离子注入剂量从1014cm2增加到1015cm2时,薄膜中Si-V发光强度增强.Hall效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低.不同温度退火时,氧离子注入薄膜的Si-V发光强度较强时,薄膜的面电阻率增加,说明Si-V发光中心不利于提高薄膜的导电性能.Raman光谱测试结果表明,薄膜中缺陷数量的增多会增强Si-V的发光强度,而降低薄膜的导电性能.

关键词(KeyWords): 金刚石薄膜;氧离子注入;电学性能;Si-V缺陷

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(批准号:50972129,50602039,51211120188);; 浙江省钱江人才计划(批准号:2010R10026)资助的课题~~

作者(Author): 王峰浩;胡晓君;

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参考文献(References):

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