物理学报

2013, (15) 397-402

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AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究
Gate current degradation model of the AlGaAs/InGaAs PHEMT

万宁;郭春生;张燕峰;熊聪;马卫东;石磊;李睿;冯士维;

摘要(Abstract):

为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了PHEMT栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律,分析参数随时间的退化规律,得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理,并基于栅电流参数退化模型,得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例.

关键词(KeyWords): PHEMT;栅电流;肖特基接触;退化模型

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(批准号:61204081);; 广东省重大科技专项项目(批准号:粤科规划字[2012]129)资助的课题~~

作者(Author): 万宁;郭春生;张燕峰;熊聪;马卫东;石磊;李睿;冯士维;

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