物理学报

2013, (15) 384-390

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不同散射机理对Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET反型沟道电子迁移率的影响
Effects of different scattering mechanisms on inversion-channel electron mobility in Al_2O_3/In_xGa_(1-x)As nMOSFET

黄苑;徐静平;汪礼胜;朱述炎;

摘要(Abstract):

通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙散射等主要散射机理,建立了以Al2O3为栅介质InxGa1-xAsn沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型沟道电子迁移率模型,模拟结果与实验数据有好的符合.利用该模型分析表明,在低至中等有效电场下,电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响;而在强场下,电子迁移率则取决于界面粗糙度散射.降低界面态密度,减小Al2O3/InxGa1-xAs界面粗糙度,适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高InGaAs nMOSFETs反型沟道电子迁移率的主要途径.

关键词(KeyWords): InGaAs;MOSFET;反型沟道电子迁移率;散射机理

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 国家自然科学基金(批准号:61176100)资助的课题~~

作者(Author): 黄苑;徐静平;汪礼胜;朱述炎;

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参考文献(References):

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